镓仁半导体完成数千万天使轮融资

近日，镓仁半导体宣布完成数千万天使轮融资。本轮由蓝驰创投领投，禹泉资本跟投。融资将用于强化团队、加速氧化镓衬底材料新方法及中试线研发。杭州镓仁半导体有限公司成立于2022年9月，是一家专注于氧化– h $镓等超宽禁带半导体单晶衬底及外延材料研发、生产和销售的科技型企业。公司开[ P P U | X ; W }创了非导模法氧化镓单晶生长新技术，突破了国际市场对氧化镓材料的垄断，可提供具有完全自主知识G g o 6产权的氧化镓单晶衬底材料。公司创始团队源自浙江大学硅材料国家重点实验室和L A . e ( E浙江大学杭州国际科创中心。目前，公司已形成一支以中科院院士为首席顾问的研发和生产团队，E \ e ! –将持续为我国电力电子等产业的发展] s j J提供材料保障。随着2018年特斯拉采用碳化硅（SiC）、2020年小米在快充上使用氮化镓开始，宽禁带材料碳化硅、氮化j d 1 ~镓获得市场认可迎来发展机q f 5 V | 6 S遇，并逐渐从新能源车、消费电子等热门场景向更多拓展场景探索。在宽禁带半导P _ = E h b 7体发展得如火2 ^ ) C 2 F如荼之际，氧化镓、氮化铝、金刚石等超宽禁带半i Z l导体材料也开始受到关注。其中，氧化镓( Ga2O3 )是被国际普遍关注并认可已开启产业化的超宽禁带半导体材料。据日本富士经济预测，未来10年氧化镓及器件的年复合增长率将超过50%，在高功率、高电流、高压器件领域拥有巨大优势，同时在中压功率\ w , K f I L器件及射频器件方面将对目前SiC，GaN和Si IGBT产生有力竞k 0 } r x争，其在节能、性能x w H s L b改善、体积缩小等方* $ &面拥有核心优势。高质量、低成本的氧化镓单晶衬底是整个产业链的关键，目前全球只有一家公司可稳定供货。其采用的是导模法生产和制备氧化镓衬底。然而由于导模法需要大量的铱金属，氧化镓晶圆价格高居不下；同时导模法存在大的温度梯度，使得氧化镓的质量难以进一步提j \ (升，严重阻碍了其器件的迭代研发。镓仁半导体开创了新的氧化镓单晶生长技术，在成本控制、尺寸放大、质量提升以及智能制: k g w | 7造等方面具有极其明显优势，有望推动氧化镓材料和器件产业的发展。镓仁半导体创始人张辉表示，由于对电力高效使用的迫切需求，我{ \ M j W ;国功率器件及材料产业将迎来更加快u : d速的发展。镓仁半导体团队经过多年的攻关，已掌握从设备e l I p $ 1 w , l开发、热场设计、晶体生长、晶体加工、外延生长等全套的= 5 1 V \ 7 4 n关键技术，有望破解氧化镓材料的“卡脖子, L 4 t 4”难题。蓝驰创投表示：“国内新能源汽车、新型电力系统等领域的快速发展，对功率半导体材料和器件提出了越来越高的要求。而氧化镓作为超宽禁带半导体材料，其器件在高压高功率场景具备良好表现和产业化前景。同时，氧化镓的理论成本较低，有望成为未来高性价比功率半导体材料的首选。镓仁半导体团队具备多j c R V + 3 [ D B年半导体材料生长经验，已成为国内氧化镓领域的重要力量之一。蓝驰创投相信3 1 s，在杨德仁院士和张辉教授的领导下，镓仁科技有望成为国内@ \ { m s 2 & l Q氧化镓领域的领军企业，, @ n进一步加强在宽禁带半导体材料和器件领域的竞争优势。”禹泉资本管理合伙人戈壁川表示：“我们看到随着半导体材料以及应用的蓬勃发展，在中高压领域（800V以上），轨道交通、新能源汽车、电力传输等领域中，更高品质的、M + N更低成本、更低电能损耗的器件是市场的刚性需求，而氧化镓可通过熔体法生长，未来生产成本远低于气相生长的碳化硅及氮化镓，氧化镓莫氏硬度同硅接近，远低于碳化硅，非常容f [ . (易加工，同时器件性能在高压、高电流能有更优异的表现，未来在这些领域同碳化硅、氮化镓形成一定的竞争和替代。我们非常看好镓仁半导体的创始团队，并相信在杨德仁院士及张辉教授的带领下，能够进一步推动氧化镓单晶衬底7 V . v `的产业化，推动氧化镓在半导体领域更大规模的应用。